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SKR 16,3 x 18,2 Qu bond

更新时间： 2024-09-21 14:51:55

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		/
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Chips

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SKR 16,3 x 18,2 Qu bond 数据手册

SKR 16,3 x 18,2 Qu bond

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

T_j= 25 °C, I_R= 0.4 mA

V_RRM

I_F(AV)

i²t

1600

305

A²s

T_c= 80 °C, T_j= 150 °C

T_j= 150 °C, 10 ms, sin 180°

130100

6600

5100

150

T_j= 25 °C

10 ms

I_FSM

sin 180°

T_j= 150 °C

T_jmax

°C

DIODE

Electrical Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

I_F(DC)= 365 A

T_j= 25 °C, V_RRM

T_j= 120 °C, V_RRM

I_R

0.4

2.2

V_RRM= 1600 V

Size: 16,3 mm x 18,2 mm

T_j= 25 °C, I_F= 320 A

T_j= 125 °C, I_F= 320 A

T_j= 125 °C

V_F

1.21

1.1

0.9

V_(TO)

r_T

0.83

0.5

T_j= 125 °C

mΩ

µs

SKR 16,3 x 18,2 Qu bond

Features

T_j= 25 °C, ± 1 A

t_rr

Thermal Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

ꢀ high current density due to mesa

technology

ꢀ high surge current

ꢀ compatible to thick wire bonding

ꢀ compatible to all standard solder

processes

T_j

-40

150

250

320

°C

T_stg

T_solder

R_th(j-c)

10 min.

°C

5 min.

°C

Typical Applications*

Semipack 2 assembly

0.185

K/W

ꢀ uncontrolled rectifier bridges

Mechanical Characteristics

Symbol Conditions

Values

Unit

Raster

size

16.3 x 18.2

mm²

Area total

Anode

296.66

bondable (Al)

Cathode

Wire bond

Package

solderable (Ag/Ni)

Al, diameter ≤ 500 µm

tray

Chips /

Package

pcs

SKR

Rev. 1 – 19.02.2010

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