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SKiiP 22GB17E4V1

更新时间： 2024-11-07 14:50:59

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	377K
描述
IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)

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SKiiP 22GB17E4V1 数据手册

SKiiP 22GB17E4V1

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1700

117

100

300

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

-20 ... 20

MiniSKiiP^®2 Dual

Half-Bridge

V_CC= 1000 V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

_CES≤ 1700 V

T_j

-40 ... 175

Inverse - Diode

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

I_F

T_j= 175 °C

SKiiP 22GB17E4V1

I_FRM

I_FSM

T_j

200

580

-40 ... 175

°C

10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

Features*

• Trench IGBTs

Module

I_t(RMS)

T_stg

• Robust and soft freewheeling diodes in

CAL technology

T_terminal= 80 °C, 20 A per spring

module without TIM

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

200

-40 ... 125

2500

°C

• Highly reliable spring contacts for

electrical connections

V_isol

• UL recognised: File no. E63532

• NTC T-Sensor

Characteristics

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Remarks

• Max. case temperature limited to

T_C=125°C

I_C= 100 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.90

2.30

2.20

2.60

_GE= 15 V

• Product reliability results valid for

T_j≤150°C (recommended

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

5.8

0.90

0.80

6.4

0.3

mΩ

_j,op=-40...+150°C)

chiplevel

• The creepage distance between

T-Sensor and ground is 8mm

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

V_GE= V_CE, I_C= 4 mA

T_j= 25 °C

5.2

V_GE= 0 V

_CE= 1700 V

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

E_on

t_d(off)

t_f

8.00

0.34

0.29

800

7.5

232

22.2

600

144

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

- 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 900 V

_C= 100 A

_{G on}= 2 Ω

_{G off}= 2 Ω

di/dt_on= 2892 A/µs

di/dt_off= 665 A/µs

dv/dt = 5490 V/µs

_GE= +15/-15 V

E_off

30.7

0.43

L_s= 25 nH

per IGBT, λ_paste=0.8 W/(K*m)

R_th(j-s)

K/W

Rev. 1.0 – 24.09.2021

12 3 4 5 6

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