Datasheet > SKiiP 24AC12T4V1

SKiiP 24AC12T4V1

更新时间： 2024-11-21 14:53:11

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	831K
描述
IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SKiiP 24AC12T4V1 数据手册

SKiiP 24AC12T4V1

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

105

-20 ... 20

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_C

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

MiniSKiiP^®2

Sixpack

V_CC= 800 V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

_CES≤ 1200 V

T_j

-40 ... 175

SKiiP 24AC12T4V1

Inverse - Diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

Features*

• Trench 4 IGBTs

I_F

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

• Robust and soft switching freewheeling

diodes in CAL technology

I_FRM

I_FSM

T_j

105

• Highly reliable spring contacts for

electrical connections

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

170

• UL recognized: File no. E63532

-40 ... 175

°C

Typical Applications

Module

I_t(RMS)

T_stg

• Inverter up to 22 kVA

T_terminal= 80 °C, 20 A per spring

module without TIM

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

100

-40 ... 125

2500

°C

• Typical motor power 11 kW

V_isol

Remarks

• V_CEsat, V_F= chip level value

Characteristics

• Case temp. limited to T_C= 125°C max.

(for baseplateless modules T_C= T_S)

• product rel. results valid for T_j≤150

(recomm. T_op= -40 ... +150°C)

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

V_CE(sat)

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 35 A

T_j= 25 °C

1.85

2.25

2.10

2.45

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

5.8

0.90

0.80

6.5

mΩ

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE= V_CE, I_C= 1 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

1.95

0.16

0.12

200

3.7

310

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 35 A

_{G on}= 15 Ω

_{G off}= 15 Ω

E_on

t_d(off)

t_f

di/dt_on= 1300 A/µs

di/dt_off= 460 A/µs

V_GE= +15/-15 V

T_j= 150 °C

E_off

per IGBT, λ_paste=0.8 W/(mK)

per IGBT, λ_paste=2.5 W/(mK)

R_th(j-s)

0.85

0.69

K/W

Rev. 5.0 – 22.09.2021

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与SKiiP 24AC12T4V1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKiiP 24AC12T7V1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
SKiiP 24ACC12T4V1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
SKiiP 24ACC12T4V10	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
SKiiP 24ACC12T7V1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
SKiiP 24GB07E3V1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
SKiiP 24GB12T4V1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
SKiiP 24GB12T7V1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
SKiiP 24GB17E4V1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
SKiiP 24NAB126V1	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
SKiiP 24NAB126V10	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)

与SKiiP 24AC12T4V1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKiiP 24AC12T4V1

SKiiP 24AC12T4V1 数据手册

与SKiiP 24AC12T4V1相关器件

与SKiiP 24AC12T4V1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKiiP 24AC12T4V1

SKiiP 24AC12T4V1 数据手册

与SKiiP 24AC12T4V1相关器件

与SKiiP 24AC12T4V1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？