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SKiiP 23NAB12T4V10

更新时间： 2024-11-25 14:54:27

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	522K
描述
IGBT Modules MiniSKiiP II 2 (59x52x16)

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SKiiP 23NAB12T4V10

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

t.b.d.

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_C

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

MiniSKiiP^®2

-20 ... 20

V_CC= 800 V

Converter-Inverter-Brake

(CIB)

t_psc

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

µs

°C

_CES≤ 1200 V

T_j

-40 ... 175

Chopper - IGBT

SKiiP 23NAB12T4V10

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

t.b.d.

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

Features*

• Trench 4 IGBTs

I_C

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

• Robust and soft switching freewheeling

diodes in CAL technology

I_Cnom

I_CRM

V_GES

-20 ... 20

• Highly reliable spring contacts for

electrical connections

• UL recognized: File no. E63532

V_CC= 800 V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

Typical Applications

_CES≤ 1200 V

• Inverter up to 14 kVA

T_j

-40 ... 175

• Typical motor power 7,5 kW

Inverse - Diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

Remarks

• V_CEsat, V_F= chip level value

• Case temp. limited to T_C= 125°C max.

(for baseplateless modules T_C= T_S)

• product rel. results valid for T_j≤150

(recomm. T_op= -40 ... +150°C)

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_F

t.b.d.

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

100

-40 ... 175

°C

Freewheeling - Diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

t.b.d.

°C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_F

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

100

-40 ... 175

NAB

Rev. 5.0 – 09.02.2022

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