SKB33/02

更新时间： 2024-11-08 09:24:31

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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描述
Controllable Bridge Rectifiers

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SKB33/02 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MUFM-X8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
标称电路换相断开时间：	80 µs	配置：	BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE WITH BUILT-IN DIODE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	100 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	快速连接描述：	0
螺丝端子的描述：	2AK-CA-CK	最大维持电流：	200 mA
JESD-30 代码：	S-MUFM-X8	JESD-609代码：	e2
最大漏电流：	10 mA	通态非重复峰值电流：	370 A
元件数量：	2	端子数量：	8
最大通态电流：	33000 A	最高工作温度：	130 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
重复峰值关态漏电流最大值：	10000 µA	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SKB33/02 数据手册

SKB 33

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