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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> SKB30/12A1
SKB30/12A1 PDF预览

SKB30/12A1

更新时间： 2024-11-10 06:11:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 469K
描述
Power Bridge Rectifiers

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SKB30/12A1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：S-MUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：2.3
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.2 V
JESD-30 代码：S-MUFM-X4JESD-609代码：e2
最大非重复峰值正向电流：320 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：6.5 A封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：0.0003 µA
最大反向恢复时间：25 µs子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SKB30/12A1 数据手册

 浏览型号SKB30/12A1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKB30/12A1的Datasheet PDF文件第3页 
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1
05-04-2007 SCT  
© by SEMIKRON  
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