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SK50GAR067

更新时间: 2024-09-16 03:31:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 686K
描述
IGBT Module

SK50GAR067 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
针数:14Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84其他特性:FAST
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):83 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X14JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:14
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-60747-1
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):306 ns
标称接通时间 (ton):32 nsBase Number Matches:1

SK50GAR067 数据手册

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SK50GB067  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
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SK50GB067  
SK50GAL067  
SK50GAR067  
Target Data  
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Features  
Module  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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max. Units  
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Typical Applications  
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05-04-2007 DIL  
© by SEMIKRON