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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13 | 针数： | 22 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X13 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 13 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 601 ns | 标称接通时间 (ton)： | 128 ns |
| VCEsat-Max： | 2.05 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SK50GD12T4TP | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SK50GD12T7ETE1 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SEMITOP E1 (63x34x12) |
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| SK50GD12T7ETE2 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SEMITOP E2 (63x57x12) |
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| SK50GH065F | SEMIKRON |
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IGBT Module |
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| SK50GH065F_07 | SEMIKRON |
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IGBT Module |
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| SK50GH065F_09 | SEMIKRON |
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IGBT Module |
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| SK50GH128T | SEMIKRON |
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IGBT module |
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| SK50GH128T_07 | SEMIKRON |
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IGBT module |
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| SK50GH12T4T | SEMIKRON |
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IGBT module |
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| SK50MLI065 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
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