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SIHFP254N-E3

更新时间： 2024-10-16 09:25:31
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威世 - VISHAY /
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8页 159K
描述
Power MOSFET

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SIHFP254N-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.14其他特性：HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：220 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：92 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHFP254N-E3 数据手册

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IRFP254N, SiHFP254N  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Advanced Process Technology  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
250  
• Dynamic dV/dt Rating  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fully Avalanche Rated  
• Fast Switching  
Available  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.125  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
100  
17  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
44  
• Ease of Paralleling  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-247  
Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with  
the fast switching speed and ruggedized device design that  
these Power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable device for  
use in a wide variety of applications.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mounting  
hole.  
G
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP254NPbF  
SiHFP254N-E3  
IRFP254N  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP254N  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
250  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
23  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
TC =100°C  
16  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
92  
Linear Derating Factor  
1.5  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
300  
14  
EAR  
22  
220  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
7.4  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. Starting TJ = 25 °C, L = 3.1 mH, RG = 25 Ω, IAS = 14 A, VGS = 10 V.  
c. ISD ≤ 14 A, dI/dt ≤ 460 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91213  
S-Pending-Rev. A, 24-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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