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SIHF9620

更新时间： 2024-01-30 13:45:58

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威世 - VISHAY		/
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描述
Power MOSFET

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SIHF9620 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF9620 数据手册

IRF9620, SiHF9620

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 200

Available

• P-Channel

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

1.5

RoHS*

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF9620PbF

SiHF9620-E3

IRF9620

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF9620

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

- 3.5

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

- 2.0

- 14

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.32

W/°C

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^b

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^c

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. I_SD≤ - 3.5 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

c. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91082

S-81272-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

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与SIHF9620相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SIHF9620-E3	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF9620S-E3	VISHAY	TRANSISTOR 3.5 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,	获取价格
SIHF9620S-GE3	VISHAY	TRANSISTOR 3.5 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND	获取价格
SIHF9620STL	VISHAY	TRANSISTOR 3.5 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,	获取价格
SIHF9620STL-E3	VISHAY	TRANSISTOR 3.5 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,	获取价格
SIHF9620STRL-GE3	VISHAY	TRANSISTOR 3.5 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND	获取价格

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