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SIHF740AL-GE3

更新时间： 2024-10-14 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	200K
描述
TRANSISTOR 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF740AL-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.08	雪崩能效等级（Eas）：	630 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF740AL-GE3 数据手册

IRF740AS, SiHF740AS, IRF740AL, SiHF740AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

400

Definition

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.55

Q_g(Max.) (nC)

9.9

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully

Characterized

Capacitance

and

Configuration

Single

Avalanche Voltage and Current

• Effective C_ossspecified

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback Xfmr. Reset

• Single Transistor Forward Xfmr. Reset (Both for US Line

Input Only)

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

SiHF740AS-GE3

IRF740ASPbF

SiHF740AS-E3

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

SiHF740AL-GE3

IRF740ALPbF

SiHF740AL-E3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHF740ASTRL-GE3^a

IRF740ASTRLPbF^a

SiHF740ASTL-E3^a

SiHF740ASTRR-GE3^a

IRF740ASTRRPbF^a

SiHF740ASTR-E3^a

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

400

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

6.3

Continuous Drain Current^e

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

1.0

W/°C

E_AS

I_AR

630

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

12.5

3.1

T_A= 25 °C

_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

125

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

5.9

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 12.6 mH, R_g= 25 , I_AS= 10 A (see fig. 12).

c. I_SD 10 A, dI/dt  330 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF740A, SiHF740A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91052

S11-1048-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SIHF740AS-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
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SIHF740ASTL-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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