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SIHF820AL-GE3

更新时间： 2024-10-15 14:44:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	204K
描述
TRANSISTOR 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF820AL-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.1
雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF820AL-GE3 数据手册

IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

500

Definition

_DS(on)(Max.) ()

V_GS= 10 V

3.0

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche

Voltage and Current

• Effective C_ossspecified

Q_g(Max.) (nC)

4.3

_gs(nC)

_gd(nC)

8.5

Configuration

Single

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

N-Channel MOSFET

• Half Bridge and Full Bridge

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

SiHF820AS-GE3

IRF820ASPbF

SiHF820AS-E3

I²PAK (TO-262)

SiHF820AL-GE3

IRF820ALPbF

SiHF820AL-E3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

Lead (Pb)-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

2.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

_C= 100 °C

1.6

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

0.4

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

140

2.5

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

3.4

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 45 mH, R_g= 25 , I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD 2.5 A, dI/dt  270 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF820A, SiHF820A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91058

S11-1049-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF820AS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF820AS-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF820-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF820S	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
SIHF820STL	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
SIHF820STR	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
SIHF820STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND R
SIHF820STRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND R
SIHF830	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF830A	KERSEMI	获取价格	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement

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