SIHF820A-E3

更新时间： 2024-11-23 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHF820A-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF820A-E3 数据手册

IRF820A, SiHF820A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*

Ruggedness

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

4.3

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and current

8.5

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

TO-220

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptable Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

• Half bridge

N-Channel MOSFET

• Full bridge

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF820APbF

SiHF820A-E3

IRF820A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF820A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

2.5

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

1.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

140

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

2.5

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.4

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 45 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.5 A, dI/dt ≤ 270 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91057

S-Pending-Rev. A, 19-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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SIHF820AL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND R
SIHF820AS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF820AS-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF820-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF820S	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
SIHF820STL	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
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