SIHF744-E3

更新时间： 2024-11-19 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHF744-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	540 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.8 A
最大漏极电流 (ID)：	8.8 A	最大漏源导通电阻：	0.63 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF744-E3 数据手册

IRF744, SiHF744

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

450

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.63

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provides the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost

effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF744PbF

SiHF744-E3

IRF744

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF744

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage

V_GS

8.8

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

5.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

540

8.8

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

125

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 12 mH, R_G= 25 Ω I_AS= 8.8 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 8.8 A, dV/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91056

S-Pending-Rev. A, 19-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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