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SIFG17N060(SOP-8)

更新时间： 2024-09-17 17:01:31

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描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIFG17N060

●特点：热阻低导通电阻低栅极电荷低，开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW R_DS(ON)TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE

CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT

●应用：低压高频逆变电路同步整流开关应用

●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS

■SWITCH APPLICATIONS

■SYNCHRONOUS RECTIFICATION

●最大额定值（TC=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）

SOP-8

符号

参数

SYMBO

PARAMETER

额定值

VALUE

单位

UNIT

V_DS=60V

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

R_DS(ON)=5.2mΩ

I_D=17A

栅-源电压

V_GS

±20

gate-source Voltage

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

耗散功率

Total Power Dissipation

最高结温

Junction Temperature

存储温度

Storage Temperature

I_D

17*

①

P_tot

3.1

150

C

T_STG

-55-175

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy

②

E_AS

200

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

BV_DSS

V_GS(TH)

I_DSS

V_GS=0V, I_D=250A

V_GS=V_DS,I_D=250A③

1.0

2.5

V_DS=60V,V_GS=0V

A

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current (V_DS= 0)

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

跨导

I_GSS

V_GS=+20V/-12V

±100

V_GS=10V, I_D=8A③

V_GS=4.5V, I_D=6A③

5.2

7.2

R_DS(ON)

g_FS

mΩ

V_DS=10V, I_D=3A③

Forwad Transconductance

●订单信息/ORDERING INFORMATION:

订货编码/ORDERING CODE

包装形式/PACKING

普通塑封料/ Normal Package Material

无卤塑封料/Halogen Free

SIFG17N060 SOP-8-TU-HF

SIFG17N060 SOP-8-TR-HF

SOP-8 条管装/TUBE PACKING

SIFG17N060 SOP-8-TU

SIFG17N060 SOP-8-TR

SOP-8 编带装/TAPE & REEL PACKING

Si semiconductors 2019.05

12 3 4 5

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