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SIFG80N060(DFN5X6)

更新时间： 2024-11-06 17:01:07

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导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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深圳深爱半导体股份有限公司

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

产品规格书

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIFG80N060

●特点：热阻低导通电阻低栅极电荷低，开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW R_DS(ON)TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE

CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT

●应用：低压高频逆变电路同步整流开关快充

●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS

■PRIMARY SWITCH ■QUICK CHARGER

■SYNCHRONOUS RECTIFIER

●最大额定值（TC=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）

DFN5X6-8L

单位

UNIT

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

额定值

VALUE

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

栅-源电压

gate-source Voltage

±20

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

①

耗散功率

Total Power Dissipation ①

P_tot

最高结温

Junction Temperature

150

C

存储温度

Storage Temperature

T_STG

-55-175

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy

②

E_AS

140

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS(TH)

V_GS=0V, I_D=250A

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS=V_DS,I_D=250A

1.0

2.5

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

I_DSS

V_DS=60V,V_GS=0V,

A

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current

I_GSS

V_GS=±20V ,V_DS=0V

V_GS=10V, I_D=20A

±100

4.6

5.6

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

R_DS(ON)

mΩ

V_GS=4.5V, I_D=15A

V_DS=10V, I_D=3A

8.2

10.5

跨导

Forward Transconductance

g_FS

●订单信息/ORDERING INFORMATION:

包装形式/PACKING

订货编码/ORDERING CODE

SIFG80N060 DFN5X6-8L-TR-HF

DFN5X6-8L 编带装/TAPE & REEL PACKING

Si semiconductors 2019.06

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SIG01-06	FUJI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon,
SIG01-09	FUJI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 900V V(RRM), Silicon,
SIG01-12	FUJI	获取价格	暂无描述