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SI8821EDB-T2-E1

更新时间： 2024-11-18 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 163K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor

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SI8821EDB-T2-E1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GRID ARRAY, S-PBGA-B4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：28 weeks风险等级：1.76
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PBGA-B4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子面层：Pure Matte Tin (Sn)端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI8821EDB-T2-E1 数据手册

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Si8821EDB  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω) Max.  
0.135 at VGS = -4.5 V  
0.150 at VGS = -3.7 V  
0.215 at VGS = -2.5 V  
ID (A) a, e Qg (Typ.)  
• Small 0.8 mm x 0.8 mm outline area  
• Low 0.4 mm max. profile  
-2.3  
-30  
-2.1  
-1.8  
5.2 nC  
• Typical ESD protection 1400 V HBM  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
MICRO FOOT® 0.8 x 0.8  
S
2
S
3
S
APPLICATIONS  
• Load switches and chargers switches  
• Battery management, power management  
• DC/DC converters  
xxx  
xx  
G
1
G
4
D
1
• For smart phones, tablet PCs, and mobile  
computing  
Backside View  
Bump Side View  
D
Marking Code: xx = AL  
xxx = Date/Lot traceability code  
Ordering Information:  
Si8821EDB-T2-E1 (lead (Pb)-free and halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
-30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
12  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
-2.3 a  
-1.8 a  
-1.6 b  
-1.3 b  
-15  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
Pulsed Drain Current (t = 300 μs)  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
-0.7 a  
-0.4 b  
0.9 a  
0.6 a  
0.5 b  
0.3 b  
-55 to 150  
260  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Package Reflow Conditions c  
TJ, Tstg  
VPR  
°C  
IR/Convection  
260  
Notes  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with full copper, t = 5 s.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with minimum copper, t = 5 s.  
c. Refer to IPC/JEDEC® (J-STD-020), no manual or hand soldering.  
d. In this document, any reference to case represents the body of the MICRO FOOT device and foot is the bump.  
e. Based on TA = 25 °C.  
S15-0509-Rev. D, 16-Mar-15  
Document Number: 63268  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI8822 TYSEMI

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