Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI3464DV-T1-GE3

SI3464DV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-16 09:26:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	234K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI3464DV-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.56
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI3464DV-T1-GE3 数据手册

New Product

Si3464DV

Vishay Siliconix

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^e

Definition

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

8^a

0.024 at V_GS= 4.5 V

0.028 at V_GS= 2.5 V

0.030 at V_GS= 1.8 V

•

8^a

11 nC

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

7.1

APPLICATIONS

•

DC/DC Converters

•

Load Switch for Portable Applications

TSOP-6

Top View

(1, 2, 5, 6)

3 mm

Marking Code

AZ XXX

Lot Traceability

and Date Code

(3)

Part # Code

2.85 mm

(4)

Ordering Information: Si3464DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

8^a

_C= 25 °C

_C= 70 °C

8^a

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

7.5^{b, c}

6.0^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

1.7^{b, c}

3.6

2.3

Maximum Power Dissipation

P_D

2^{b, c}

1.3^{b, c}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

R_thJF

Typical

Maximum

62.5

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^{b, d}

t ≤ 5 s

Steady State

°C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes:

a. Package limited

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.

e. Based on T_C= 25 °C.

Document Number: 65712

S10-0218-Rev. A, 25-Jan-10

www.vishay.com

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SI3465DV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
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