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SGTP40V60SD2PF

更新时间： 2024-04-09 19:01:53

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士兰微 - SILAN		/
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TO-3PF

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SGTP40V60SD2PF 数据手册

士兰微电子

SGTP40V60SD2PF 说明书

IGBT 电性参数（除非特殊说明，T_C=25C）

参数

集射击穿电压

符号

BV_CE

I_CES

测试条件

V_GE=0V，I_C=250µA

V_CE=600V，V_GE=0V

V_GE=20V，V_CE=0V

I_C=250µA，V_CE=V_GE

I_C=40A，V_GE=15V，T_C=25C

I_C=40A，V_GE=15V，T_C=175C

V_CE=30V

最小值

600

典型值

最大值

单位

集射漏电流

栅射漏电流

栅极开启电压

100

±100

5.8

1.7

µA

I_GES

V_GE(th)

3.2

4.5

1.35

1.55

3018

饱和压降

V_CE(sat)

输入电容

C_ies

C_oes

C_res

T_d(on)

T_r

输出电容

V_GE=0V

f=1MHz

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通损耗

V_CE=400V

I_C=40A

T_d(off)

T_f

150

R_g=10Ω

V_GE=15V

感性负载

T_C=25C

E_on

E_off

E_st

0.88

0.62

1.50

关断损耗

开关损耗

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通损耗

T_d(on)

T_r

V_CE=400V

I_C=20A

T_d(off)

T_f

156

R_g=10Ω

V_GE=15V

感性负载

T_C=25C

E_on

E_off

E_st

0.31

0.32

0.63

110

关断损耗

开关损耗

栅电荷

Q_g

发射极栅电荷

集电极栅电荷

Q_ge

Q_gc

V_CE=480V，I_C=40A，V_GE=15V

FRD 电性参数（除非特殊说明，T_C=25C）

参数

符号

测试条件

I_F=5A，T_C=25C

最小值

典型值

1.4

最大值

单位

2.0

二极管正向压降

V_FM

I_F=5A，T_C=175C

1.2

二极管反向恢复时间

二极管反向恢复电荷

二极管反向恢复电流

T_rr

Q_rr

Irm

I_ES=5A，dI_ES/dt=100A/μs，V_R=50V，

T_C=25C

2.4

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.0

共 11 页

第 3 页

http: //www.silan.com.cn

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