士兰微电子
SGTP40V65FDR1P7 说明书
40A、650V绝缘栅双极型晶体管
描述
C
2
SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场
截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品
可应用于光伏,UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。
1
G
特点
3
E
40A,650V,VCE(sat)(典型值 =1.65V@IC=40A
)
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
TJmax=175C
1
2
3
TO-247-3L
命名规则
SGT P 40 V 65 F D R 1 P7
士兰IGBT系列
工业级
封装形式,如
P7 : TO-247-3L
电流规格,如:
40表示40A等
1,2,3 : 版本号
N : N沟平面栅
空: 标准二极管(Standard)
M : 标准二极管、全电流规格(Standard Full)
R : 快速二极管(Rapid)
B : 快速二极管、全电流规格(Rapid Full)
S : 超软二极管、全电流规格(Soft Full)
NE : N沟平面栅带ESD
T : Field Stop 3和4
U : Field Stop 4+
V : Field Stop 5
W: Field Stop 5+
X : Field Stop 6
Y : Field Stop 7
D : 合封二极管
R : 集成二极管(RC IGBT)
空: 单IGBT芯片
电压规格 ,如:
65表示650V
120表示1200V等
C : 碳化硅二极管
L : 超低速,推荐频率~2KHz
Q : 低速,推荐频率2~20K
S : 标准,推荐频率5~40K
F : 高速,推荐频率10~60K
UF : 超高速,推荐频率40K~
I
: 点火器
产品规格分类
产品名称
封装形式
打印名称
P40V65FDR1
环保等级
包装方式
SGTP40V65FDR1P7
TO-247-3L
无卤
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.2
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