Datasheet > SGTP75V65SDB1P7

SGTP75V65SDB1P7

更新时间： 2024-11-21 15:19:39

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
11页	461K
描述
TO-247-3L

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SGTP75V65SDB1P7 数据手册

士兰微电子

SGTP75V65SDB1P7 说明书

75A、650V绝缘栅双极型晶体管

描述

SGTP75V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场

截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品

可应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。

特点



75A，650V，V_CE(sat)(_典型值=1.42V@I_C=75A

)

低导通损耗

快开关速度

高输入阻抗

T_Jmax.=175C

TO-247-3L

命名规则

SGT P 75 V 65 S D B 1 P7

士兰IGBT系列

工业级

封装形式，如

P7：TO-247-3L

电流规格，如：

75表示75A等

1,2,3„ ：版本号

N：N沟平面栅

空：标准二极管（Standard）

NE：N沟平面栅带ESD

T： Field Stop 3和4

U：Field Stop 4+

V：Field Stop 5

M：标准二极管、全电流规格（Standard Full）

R：快速二极管（Rapid）

B：快速二极管、全电流规格（Rapid Full）

S：超软二极管、全电流规格（Soft Full）

W：Field Stop 5+

X：Field Stop 6

Y：Field Stop 7

D：合封二极管

R：集成二极管（RC IGBT）

空：单IGBT芯片

电压规格，如：

65表示650V

120表示1200V等

C：SiC二极管

L：超低速，推荐频率~2KHz

Q：低速，推荐频率2~20K

S：标准，推荐频率5~40K

F：高速，推荐频率10~60K

UF：超高速，推荐频率40K~

I ：点火器

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

P75V65SDB1

环保等级

包装方式

SGTP75V65SDB1P7

TO-247-3L

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.5

共 11 页第 1 页

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与SGTP75V65SDB1P7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGTP75V65SDS1P7	SILAN	获取价格	TO-247-3L
SGTPL-2516	VISHAY	获取价格	Space Grade Hyprid Planar Transformers
SGTQ120V65SDB1PW	SILAN	获取价格	TO-247P-3L
SGTQ120V75SDB1PWD	SILAN	获取价格	TO-247PD-3L
SGTQ160V65SDB1APW	SILAN	获取价格	TO-247P-3L
SGTQ160V65SDB1APWA	SILAN	获取价格	TO-247PN-3L
SGTQ160V65SDB1PW	SILAN	获取价格	TO-247P-3L
SGTQ200V75SDB1PW	SILAN	获取价格	TO-247P-3L
SGTQ200V75SDB1PWA	SILAN	获取价格	TO-247PN-3L
SGTQ200V75SDB1PWD	SILAN	获取价格	TO-247PD-3L