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SFT6678MDBS

更新时间： 2024-09-15 17:20:03

品牌	Logo	应用领域
SSDI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	199K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

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SFT6678MDBS 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SFT6678MDBS 数据手册

SFT6678 SERIES

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

15 AMPS

400 Volts

NPN High Speed

Power Transistor

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

SFT6678 M __ TX

Screening ^2/__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

TXV = TXV Level

S = S Level

Application Notes:

• Replaces Industry Standard 2N6678

• Designed for High Voltage, High Speed,

Power Switching Applications Such as:

• Off-Line Supplies

• Converter Circuits

• Pulse Width Modulated Regulators

Lead Bend ^3/_ = Straight Leads

UB = Up Bend

│

└

DB = Down Bend

└

Package

M = TO-254

Z = TO-254Z

/3 = TO-3

• Motor Controls

• Deflection Circuits

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Collector – Emitter Voltage

Collector – Base Voltage

Emitter – Base Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Volts

Amps

°C

400

650

8.0

Continuous Collector Current

Continuous Base Current

I_B

5.0

Operating and Storage Temperature

T_J, T_STG

-65 to +200

Total Power Dissipation

@ T_C=25°C

@ T_A=25°C

175

6.0

P_D

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

(Ambient to Case)

R_0JC

R_0JA

1.0

29.17

ºC/W

TO-254 (M)

TO-254 (Z)

TO-3 (/3)

NOTES:

Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2%

1/ For ordering information, price, and availability contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Up and down bend configurations available for M and Z (TO-254 and TO-254Z) packages only.

4/ All electrical characteristics @ 25°C, unless otherwise specified.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: TR0019D

DOC

12 3

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与SFT6678MDBS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFT6678MDBTXV	SSDI	获取价格	暂无描述
SFT6678MS	SSDI	获取价格	暂无描述
SFT6678MTX	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
SFT6678MTXV	SSDI	获取价格	暂无描述
SFT6678MUB	SSDI	获取价格	15 AMPS 400 Volts NPN High Speed Power Transistor
SFT6678MUBTXV	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
SFT6678Z	SSDI	获取价格	15 AMPS 400 Volts NPN High Speed Power Transistor
SFT6678ZDB	SSDI	获取价格	15 AMPS 400 Volts NPN High Speed Power Transistor
SFT6678ZDBTX	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
SFT6678ZDBTXV	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2

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