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SFT5152S.5

更新时间: 2024-11-14 17:16:47
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SSDI /
页数 文件大小 规格书
3页 161K
描述
10 A, 80 V, 10 W Power Transistor Silicon NPN

SFT5152S.5 技术参数

生命周期:Active包装说明:CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.59
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
基于收集器的最大容量:250 pF集电极-发射极最大电压:80 V
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):20
最大降落时间(tf):500 nsJESD-30 代码:R-XBCC-N3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):10 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
最大关闭时间(toff):1500 ns最大开启时间(吨):500 ns
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

SFT5152S.5 数据手册

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SFT5152 and SFT5154  
Solid State Devices, Inc.  
14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638  
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773  
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com  
DESIGNER’S DATA SHEET  
Part Number / Ordering Information 1/  
10 AMP  
POWER TRANSISTORS  
SILICON NPN  
SFT5152 __ __ __  
SFT5154 __ __ __  
Screening 2/  
100 VOLTS  
10 WATTS  
__= Not Screened  
TX= TX Level  
TXV = TXV Level  
S = S Level  
Features:  
Radiation Tolerant  
Lead Bend Options  
__ = Straight  
Fast Switching, 500 nsec max ton  
High Frequency, Typical ft = 85 MHz  
BVCEO 80 Volts Min  
High Linear Gain, Low Saturation Voltage  
200ºC Operating Temperature  
Designed for Complementary Use with SFT5151 and  
SFT5153  
UB = Up Bend  
DB = Down Bend  
Package 3/  
J = TO-257  
/5 = TO-5  
G = Cerpack  
S.5 = SMD.5  
Replacement for 2N5152 and 2N5154  
TX, TXV, S-Level Screening Available2/ - Consult Factory  
Maximum Ratings  
Symbol  
Value  
Units  
Collector – Emitter Voltage  
Collector – Base Voltage  
Emitter – Base Voltage  
Collector Current  
VCEO  
80  
Volts  
VCBO  
VEBO  
IC  
100  
5.5  
10  
Volts  
Volts  
Amps  
Amps  
Base Current  
IB  
2.5  
Total Device Dissipation @ TC = 50ºC  
Derate above 50ºC  
10  
66.6  
W
mW/ºC  
PD  
Operating & Storage Temperature  
Top & Tstg  
-65 to +200  
ºC  
TO-257 (J)  
TO-5 (/5)  
Cerpack (G)  
SMD.5 (S.5)  
5
10  
3
Maximum Thermal Resistance  
Junction to Case  
RθJC  
ºC/W  
3
NOTES:  
* Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%  
TO-257 (J)  
TO-5 (/5)  
Cerpack (G) SMD.5 (S.5)  
1/ For ordering information, price, operating curves, and  
availability - contact factory.  
2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available  
on request.  
3/ For package outlines - contact factory.  
4/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25ºC.  
Available parts:  
SFT5152J, SFT5152/5, SFT5152G, SFT5152S.5  
SFT5154J, SFT5154/5, SFT5154G, SFT5154S.5  
NOTE: All specifications are subject to change without notification.  
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.  
DATA SHEET #: TR0110B  
DOC  

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