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SFT5153S.5UBTX

更新时间： 2024-01-05 10:19:46

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SSDI		开关晶体管
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3页	161K
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Power Bipolar Transistor

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SFT5153S.5UBTX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
基于收集器的最大容量：	250 pF	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	Single	最大降落时间（tf）：	500 ns
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
参考标准：	MIL-19500	最大上升时间（tr）：	1500 ns
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
最大关闭时间（toff）：	1900 ns	最大开启时间（吨）：	2000 ns
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

SFT5153S.5UBTX 数据手册

SFT5151 and SFT5153

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

10 AMP

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

POWER TRANSISTORS

SILICON PNP

SFT5151 __ __ __

SFT5153 __ __ __

100 VOLTS

10 WATTS

Screening ^2/__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

 Radiation Tolerant

└

Lead Bend Options

__ = Straight

 Fast Switching, 500 nsec max t_on

 High Frequency, Typical f_t= 85 MHz

 BVCEO 80 Volts Min

 High Linear Gain, Low Saturation Voltage

 200°C Operating Temperature

 Designed for Complementary Use with SFT5152 and

SFT5154

UB = Up Bend

DB = Down Bend

Package ^3/

└

J = TO-257

/5 = TO-5

 Replacement for 2N5151 and 2N5153



G = Cerpack

S.5 = SMD.5

TX, TXV, S-Level Screening Available^2/- Consult Factory

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Collector – Emitter Voltage

Collector – Base Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

V_CEO

Volts

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

Volts

Amps

Base Current

I_B

2.5

Total Device Dissipation @ TC = 50°C

Derate above 50°C

66.6

mW/°C

P_D

Operating & Storage Temperature

Top & Tstg

-65 to +200

°C

TO-257 (J)

TO-5 (/5)

Cerpack (G)

SMD.5 (S.5)

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case

R_θJC

°C/W

NOTES:

* Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%

TO-257 (J)

TO-5 (/5)

Cerpack (G) SMD.5 (S.5)

1/ For ordering information, price, operating curves, and

availability, contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows

available on request.

3/ For package outlines contact factory.

4/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics

@25°C.

Available parts:

SFT5151J, SFT5151/5, SFT5151G, SFT5151S.5

SFT5153J, SFT5153/5, SFT5153G, SFT5153S.5

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: TR0109D

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12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFT5153S.5UBTXV	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5153TX	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3
SFT5154	SSDI	获取价格	POWER TRANSISTORS SILICON NPN
SFT5154/5	SSDI	获取价格	10 A, 80 V, 10 W Power Transistor Silicon NPN
SFT5154/5DB	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5154/5DBS	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5154/5DBTX	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5154/5UBTX	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5154/5UBTXV	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5154G	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor

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