生命周期: | Active | 包装说明: | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.59 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
基于收集器的最大容量: | 250 pF | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | Single | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
最大降落时间(tf): | 500 ns | JESD-30 代码: | R-XBCC-N3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 10 W | 最大上升时间(tr): | 1500 ns |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 70 MHz |
最大关闭时间(toff): | 1900 ns | 最大开启时间(吨): | 2000 ns |
VCEsat-Max: | 1.5 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SFT5153S.5DBTX | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153S.5S | SSDI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMD.5, 3 PIN | |
SFT5153S.5UB | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153S.5UBS | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153S.5UBTX | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153S.5UBTXV | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153TX | SSDI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 | |
SFT5154 | SSDI |
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POWER TRANSISTORS SILICON NPN | |
SFT5154/5 | SSDI |
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10 A, 80 V, 10 W Power Transistor Silicon NPN | |
SFT5154/5DB | SSDI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |