生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.59 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
基于收集器的最大容量: | 250 pF | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | Single | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
最大降落时间(tf): | 500 ns | JEDEC-95代码: | TO-5 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 10 W |
最大上升时间(tr): | 1500 ns | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 70 MHz | 最大关闭时间(toff): | 1900 ns |
最大开启时间(吨): | 2000 ns | VCEsat-Max: | 1.5 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SFT5153/5DBTXV | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153/5UB | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153G | SSDI |
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SFT5153GDB | SSDI |
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暂无描述 | |
SFT5153GUB | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153GUBS | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153GUBTX | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153GUBTXV | SSDI |
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Power Bipolar Transistor | |
SFT5153J | SSDI |
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暂无描述 | |
SFT5153S | SSDI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 |