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SFT5152G

更新时间： 2024-11-14 17:16:47

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3页	161K
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10 A, 80 V, 10 W Power Transistor Silicon NPN

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SFT5152G 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
基于收集器的最大容量：	250 pF	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最大降落时间（tf）：	500 ns	JESD-30 代码：	R-CSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	最大关闭时间（toff）：	1500 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

SFT5152G 数据手册

SFT5152 and SFT5154

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

10 AMP

POWER TRANSISTORS

SILICON NPN

SFT5152 __ __ __

SFT5154 __ __ __

Screening ^2/

└

100 VOLTS

10 WATTS

│

__= Not Screened

TX= TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

 Radiation Tolerant

│

└

Lead Bend Options

__ = Straight

 Fast Switching, 500 nsec max t_on

 High Frequency, Typical f_t= 85 MHz

 BVCEO 80 Volts Min

 High Linear Gain, Low Saturation Voltage

 200ºC Operating Temperature

 Designed for Complementary Use with SFT5151 and

SFT5153

UB = Up Bend

DB = Down Bend

Package ^3/

└

J = TO-257

/5 = TO-5

G = Cerpack

S.5 = SMD.5

 Replacement for 2N5152 and 2N5154



TX, TXV, S-Level Screening Available^2/- Consult Factory

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Collector – Emitter Voltage

Collector – Base Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

V_CEO

Volts

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

Volts

Amps

Base Current

I_B

2.5

Total Device Dissipation @ TC = 50ºC

Derate above 50ºC

66.6

mW/ºC

P_D

Operating & Storage Temperature

Top & Tstg

-65 to +200

ºC

TO-257 (J)

TO-5 (/5)

Cerpack (G)

SMD.5 (S.5)

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case

R_θJC

ºC/W

NOTES:

* Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%

TO-257 (J)

TO-5 (/5)

Cerpack (G) SMD.5 (S.5)

1/ For ordering information, price, operating curves, and

availability - contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available

on request.

3/ For package outlines - contact factory.

4/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25ºC.

Available parts:

SFT5152J, SFT5152/5, SFT5152G, SFT5152S.5

SFT5154J, SFT5154/5, SFT5154G, SFT5154S.5

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: TR0110B

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12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SFT5152GDBS	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5152GDBTXV	SSDI	获取价格	暂无描述
SFT5152GUB	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5152GUBTXV	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5152J	SSDI	获取价格	10 A, 80 V, 10 W Power Transistor Silicon NPN
SFT5152JDB	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5152JTXV	SSDI	获取价格	暂无描述
SFT5152JUB	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
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