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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-257AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257AB | JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF240J_1 | SSDI |
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N-Channel Power MOSFET |
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| SFF240JDBRS | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF240JDBRTX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF240JDBRTXV | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF240JDBS | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF240JDBTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| SFF240JGZ | SSDI |
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Transistor |
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| SFF240JR | SSDI |
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N-Channel Power MOSFET |
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| SFF240JRS | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF240JRTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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