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SEMIX253GB126HDS

更新时间： 2024-01-16 12:07:40

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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Trench IGBT Modules

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SEMIX253GB126HDS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	260 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X16
JESD-609代码：	e3/e4	元件数量：	2
端子数量：	16	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN/SILVER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	685 ns
标称接通时间 (ton)：	115 ns	Base Number Matches：	1

SEMIX253GB126HDS 数据手册

SEMiX 253GB126HDs

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