是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.73 |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS | 二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 2.09 V | 最大非重复峰值正向电流: | 1600 A |
元件数量: | 6 | 最高工作温度: | 130 °C |
最大输出电流: | 290 A | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 1600 V | 子类别: | Bridge Rectifier Diodes |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SEMIX302GAL066HD | SEMIKRON | Trench IGBT Modules |
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SEMIX302GAL066HDS | SEMIKRON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 390A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE SEMIX 2S, 14 |
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SEMIX302GAL126HD | SEMIKRON | Trench IGBT Modules |
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SEMIX302GAL12E4S | SEMIKRON | Trench IGBT Modules |
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SEMIX302GAL12E4S_10 | SEMIKRON | Trench IGBT Modules |
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SEMIX302GAL12T4S | SEMIKRON | Trench IGBT Modules |
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