Datasheet > 晶体管 > IGBT> SEMIX302GAL066HDS

SEMIX302GAL066HDS

更新时间： 2024-01-27 08:56:49

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	887K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 390A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE SEMIX 2S, 14 PIN

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SEMIX302GAL066HDS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	390 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X12
JESD-609代码：	e3/e4	元件数量：	1
端子数量：	12	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN/SILVER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	702 ns
标称接通时间 (ton)：	190 ns	Base Number Matches：	1

SEMIX302GAL066HDS 数据手册

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SEMiX 302GB066HD

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Target Data

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Characteristics

Symbol Conditions

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12 3 4

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