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SEMIX253GB176HDS

更新时间: 2024-02-25 18:52:08
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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4页 1259K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX253GB176HDS 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16
针数:16Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):250 A
集电极-发射极最大电压:1700 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X16JESD-609代码:e3/e4
元件数量:2端子数量:16
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-60747-1
表面贴装:NO端子面层:TIN/SILVER
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):960 ns
标称接通时间 (ton):235 nsBase Number Matches:1

SEMIX253GB176HDS 数据手册

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SEMiX 253GB176HDs  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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typ.  
max. Units  
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05-04-2006 GES  
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