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SEMIX253GB126HDS

更新时间: 2024-01-06 17:26:15
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 1101K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX253GB126HDS 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16
针数:16Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):260 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码:R-XUFM-X16
JESD-609代码:e3/e4元件数量:2
端子数量:16最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN/SILVER
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):685 ns
标称接通时间 (ton):115 nsBase Number Matches:1

SEMIX253GB126HDS 数据手册

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SEMiX 253GB126HDs  
Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive RCC'+ EE'  
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)  
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (RG)  
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic  
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (IC)  
Fig. 5 Typ. transfer characteristic  
2
15-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  

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