Datasheet > 晶体管 > IGBT> SEMIX253GB126HDS

SEMIX253GB126HDS

更新时间： 2024-02-08 15:44:26

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SEMIX253GB126HDS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	260 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X16
JESD-609代码：	e3/e4	元件数量：	2
端子数量：	16	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN/SILVER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	685 ns
标称接通时间 (ton)：	115 ns	Base Number Matches：	1

SEMiX 253GB126HDs

Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive R_{CC'+ EE'}

Fig. 2 Rated current vs. temperature I_C= f (T_C)

Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (R_G)

Fig. 6 Typ. gate charge characteristic

Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (I_C)

Fig. 5 Typ. transfer characteristic

15-06-2005 SEN

123 4

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMIX253GB176HD	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX253GB176HD_06	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX253GB176HDS	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX253GB176HDS_06	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX253GD126HDC	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX253GD176HDC	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX253GD176HDC_06	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX291D16S	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 290A, 1600V V(RRM),
SEMIX302GAL066HD	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX302GAL066HDS	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 390A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE SEMIX 2S, 14