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SEMIX252GB126HDS

更新时间： 2024-02-01 00:31:27

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SEMIX252GB126HDS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15
针数：	15	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	270 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X15	JESD-609代码：	e3/e4
元件数量：	2	端子数量：	15
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN/SILVER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	680 ns
标称接通时间 (ton)：	345 ns	VCEsat-Max：	2.1 V
Base Number Matches：	1

SEMiX 252GB126HDs

Fig. 13 Typ. CAL diode recovered charge

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This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, Chapter IX.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee

expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.

10-10-2005 GES

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