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SEMIX252GB176HD

更新时间: 2024-02-12 06:50:24
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 419K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX252GB176HD 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15
针数:15Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):260 A集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X15JESD-609代码:e3/e4
元件数量:2端子数量:15
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN/SILVER
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):1000 ns
标称接通时间 (ton):320 nsVCEsat-Max:2.45 V
Base Number Matches:1

SEMIX252GB176HD 数据手册

 浏览型号SEMIX252GB176HD的Datasheet PDF文件第2页 
SEMiX 252GB176HD  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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1
25-10-2005 GES  
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