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SEMIX252GB126HDS

更新时间: 2024-01-07 23:11:55
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 1292K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX252GB126HDS 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15
针数:15Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.71
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):270 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X15JESD-609代码:e3/e4
元件数量:2端子数量:15
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN/SILVER
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):680 ns
标称接通时间 (ton):345 nsVCEsat-Max:2.1 V
Base Number Matches:1

SEMIX252GB126HDS 数据手册

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SEMiX 252GB126HDs  
Fig. 1 Output characteristic, inclusive RCC'+ EE'  
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)  
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (RG)  
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic  
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (IC)  
Fig. 5 Typ. transfer characteristic  
2
10-10-2005 GES  
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