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SD103BW-TP PDF预览

SD103BW-TP

更新时间： 2024-09-26 21:18:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 199K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.35A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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SD103BW-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：0.65其他特性：LOW POWER LOSS
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.37 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：1.5 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.35 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.4 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.01 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

SD103BW-TP 数据手册

 浏览型号SD103BW-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SD103BW-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
SD103AW  
THRU  
SD103CW  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant("P" Suffix  
designates RoHS Compliant. See ordering information)  
Guard Ring Protection  
400mW Small Signal  
Schottky Diode  
20 to 40 Volts  
•
•
•
•
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss For High Efficiency  
SD103AW: S4  
SD103BW: S5  
SD103CW: S6  
Device Marking Code:  
SOD-123  
Maximum Ratings  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
A
·
B
·
•
Moisture Sensitivity Level 1  
Operating Temperature: -55R to +125R  
C
E
•
•
Storage Temperature: -55R to +150R  
Maximum Thermal Resistance; 300R/W Junction to Ambient  
Maximum  
Recurrent  
Maximum DC  
MCC  
Maximum  
H
Blocking  
Voltage  
D
Part Number Peak Reverse RMS Voltage  
Voltage  
SD103AW  
SD103BW  
SD103CW  
40V  
30V  
20V  
28V  
21V  
14V  
40V  
30V  
20V  
J
G
DIMENSIONS  
DIM  
INCHES  
MM  
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
NOTE  
MIN  
.140  
.100  
.055  
---  
.012  
.006  
---  
MAX  
.152  
MIN  
3.55  
2.55  
1.40  
---  
0.30  
0.15  
---  
MAX  
3.85  
2.85  
1.80  
1.35  
0.78  
---  
A
B
C
D
E
G
H
J
Average Forward  
IF(AV)  
IFSM  
PD  
350mA Note 1  
t!1.0s  
400mW Note 1  
.112  
.071  
.053  
.031  
---  
Current  
Peak Forward Surge  
Current  
1.5A  
.010  
.006  
0.25  
0.15  
Maximum Power  
Dissipation  
---  
---  
Maximum (Note2)  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
Typical Junction  
Capacitance  
Typical Reverse  
Recovery Time  
0.37V  
0.60V  
I
FM = 20mA  
VF  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
IFM = 200mA  
0.093  
VR = 30V (AW)  
VR = 20V (BW)  
VR = 10V (CW)  
IR  
5.0µA  
0.048”  
Measured at  
Cj  
trr  
50pF  
10ns  
1.0MHz, VR=0V  
IF = IR =200mA  
Irr=0.1×IR RL=100Ω  
0.036”  
Note: 1.Valid provided that electrodes are kept at ambient  
Temperature  
2.Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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SD103BW-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAT54T1G ONSEMI

功能相似

 30 VOLT SCHOTTKY BARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
SD103BW-7-F DIODES

功能相似

 SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE
BAT54T1 ONSEMI

功能相似

 SCHOTTKY BARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES
SD103C DCCOM

获取价格

 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIODES

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