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SBR5035PFE3

更新时间: 2024-11-11 15:50:39
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 116K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 35V V(RRM), Silicon, PRESSFIT-1

SBR5035PFE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:PRESSFIT-1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.71
其他特性:REVERSE ENERGY TESTED应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-XUPF-P1
最大非重复峰值正向电流:800 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:50 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:PRESS FIT
最大重复峰值反向电压:35 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:PIN/PEG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

SBR5035PFE3 数据手册

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