是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-XUPF-P1 |
针数: | 1 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.55 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | REVERSE ENERGY TESTED | 应用: | GENERAL PURPOSE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.55 V |
JESD-30 代码: | O-XUPF-P1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 800 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 50 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | PRESS FIT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 50 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SBR5050PFE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 50V V(RRM), Silicon, PRESSFIT-1 | |
SBR5050PFR | MICROSEMI |
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50 Amp Schottky Rectifier Pressfit | |
SBR5050PFRE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 50V V(RRM), Silicon, PRESSFIT-1 | |
SBR5060 | DAESAN |
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CURRENT 50.0 AMPERES VOLTAGE 30 TO 60 VOLTS | |
SBR5090PF | MICROSEMI |
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50 Amp Schottky Rectifier | |
SBR5090PFR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 90V V(RRM), Silicon, | |
SBR50G | HY |
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Glass Passivated 3 Phase Bridge Rectifiers | |
SBR50GW | HY |
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Glass Passivated 3 Phase Bridge Rectifiers | |
SBR50W | HY |
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Silicon Passivated 3 Phase Bridge Rectifiers | |
SBR5100 | DAESAN |
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CURRENT 5.0 AMPERES VOLTAGE 20 TO 100 VOLTS |