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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XUPF-P1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | REVERSE ENERGY TESTED | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-XUPF-P1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 800 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 50 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | PRESS FIT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 90 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBR5090PFR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 90V V(RRM), Silicon, |
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| SBR50G | HY |
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Glass Passivated 3 Phase Bridge Rectifiers |
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| SBR50GW | HY |
获取价格 |
Glass Passivated 3 Phase Bridge Rectifiers |
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| SBR50W | HY |
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Silicon Passivated 3 Phase Bridge Rectifiers |
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| SBR5100 | DAESAN |
获取价格 |
CURRENT 5.0 AMPERES VOLTAGE 20 TO 100 VOLTS |
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| SBR5101 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 5MHz Min, 500MHz Max, H2, TO-8B |
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| SBR5103 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, 5MHz Min, 300MHz Max, H2, TO-8B |
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| SBR5105 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 5MHz Min, 300MHz Max, H2, TO-8B |
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| SBR5107 | APITECH |
获取价格 |
10 MHz - 550 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, H2, TO-8B |
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| SBR5118 | APITECH |
获取价格 |
3 MHz - 100 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER, H2, TO-8B |
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