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SBL30U150F PDF预览

SBL30U150F

更新时间： 2024-11-12 12:46:55
品牌 Logo 应用领域
SECOS /
页数 文件大小 规格书
2页 160K
描述
Voltage 150V 30.0 Amp Low VF Trench MOS Barrier Schottky Recifier

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SBL30U150F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.21其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.05 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：150 V最大反向电流：150 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SBL30U150F 数据手册

 浏览型号SBL30U150F的Datasheet PDF文件第2页 
SBL30U150F  
Voltage 150V 30.0 Amp  
Low VF Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen free  
ITO-220  
FEATURES  
B
N
D
E
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Trench MOS Schottky technology  
Low forward voltage drop, low power losses.  
High current capability  
High reliability  
High surge current capability  
Epitaxial construction  
M
J
A
C
H
MECHANICAL DATA  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: Molded plastic  
K
L
Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant  
Lead: Lead solderable per MIL-STD-202  
method 208 guaranteed  
G
F
L
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: As Marked  
Mounting position: Any  
Weight: 1.65 g (Approximate)  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
14.60  
9.50  
12.60  
4.30  
2.30  
2.30  
0.30  
Max.  
15.70  
10.50  
14.00  
4.70  
3.2  
Min.  
Max.  
4.00  
1.50  
0.90  
2.74  
3.00  
φ 3.4  
A
B
C
D
E
F
H
J
K
L
M
N
2.70  
0.90  
0.50  
2.34  
2.40  
φ 3.0  
1
3
2
2.90  
0.75  
G
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise s pecified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, de-rate current by 20%.)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
VRRM  
VRSM  
VDC  
150  
150  
150  
15  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current  
(Per Leg)  
A
IF  
30  
(Per Device)  
IFSM  
200  
A
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave  
Voltage Rate of Chance (Rated VR)  
dv/dt  
10000  
4
V / µs  
°C /W  
°C  
Typical Thermal Resistance  
Rθ  
JC  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-40~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Typ.  
Max.  
0.72  
0.9  
1.05  
-
Unit  
Test Condition  
IF = 3A, TJ = 25°C  
0.66  
0.79  
0.88  
0.75  
-
IF = 10A, TJ = 25°C  
IF = 15 A, TJ = 25°C  
IF = 15 A, TJ = 125°C  
TJ=25°C  
Maximum Instantaneous Forward  
Voltage  
VF  
V
0.15  
10  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage 2  
Typical Junction Capacitance 1  
IR  
mA  
pF  
-
TJ=125°C  
CJ  
630  
-
NOTES:  
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 5.0V D.C.  
2. Pulse Test：Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≦ 2.0%.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
30-Apr-2013 Rev.A  
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