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SBL30U200F PDF预览

SBL30U200F

更新时间： 2024-11-13 01:18:59
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SECOS 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 226K
描述
Low VF Trench Barrier Schottky Rectifier

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SBL30U200F 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.72
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SBL30U200F 数据手册

 浏览型号SBL30U200F的Datasheet PDF文件第2页 
SBL30U200F  
Voltage 200V 30.0 Amp  
Low VF Trench Barrier Schottky Rectifier  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen free  
ITO-220  
FEATURES  
B
N
Trench Barrier Schottky technology  
Low forward voltage drop  
Low reverse current  
High current capability  
High reliability  
D
E
M
J
A
C
High surge current capability  
Epitaxial construction  
H
L
MECHANICAL DATA  
Case: Molded plastic  
Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant  
Lead: Lead solderable per MIL-STD-202  
method 208 guaranteed  
K
L
G
F
Polarity: As Marked  
Mounting position: Any  
Weight: 1.98 g (Approximate)  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
15.70  
10.50  
14.00  
4.70  
3.2  
Min.  
2.70  
0.90  
0.50  
2.34  
2.40  
3.0  
Max.  
4.00  
1.50  
0.90  
2.74  
3.00  
3.4  
A
B
C
D
E
F
14.60  
9.50  
12.60  
4.30  
2.30  
2.30  
0.30  
H
J
K
L
M
N
  
  
2.90  
0.75  
G
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, de-rate current by 20%.)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
VRRM  
VRSM  
VDC  
200  
200  
200  
15  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current  
(Per Leg)  
A
IF  
30  
(Per Device)  
IFSM  
250  
A
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave  
Voltage Rate of Chance (Rated VR)  
dv/dt  
10000  
2
V / μs  
°C /W  
°C  
Typical Thermal Resistance  
R  
JC  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-40~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Typ.  
0.67  
0.81  
0.9  
0.73  
-
Max.  
Unit  
Test Condition  
IF = 3A, TJ = 25°C  
0.72  
0.93  
1.1  
-
IF = 10A, TJ = 25°C  
IF = 15A, TJ = 25°C  
IF = 15 A, TJ = 125°C  
TJ=25°C  
Maximum Instantaneous Forward  
Voltage  
VF  
V
0.2  
20  
-
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage 2  
Typical Junction Capacitance 1  
IR  
mA  
pF  
-
TJ=100°C  
CJ  
310  
NOTES:  
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 5.0V D.C.  
2. Pulse Test：Pulse Width = 300 μs, Duty Cycle ≦ 2.0%.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
22-Nov-2013 Rev. B  
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