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SBL30U60

更新时间： 2024-11-13 01:16:15

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SECOS		局域网二极管
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2页	151K
描述
Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifier

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SBL30U60 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.61 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	250 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	500 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SBL30U60 数据手册

SBL30U60

Voltage 60V,30 Amp

Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifier

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen free

TO-220

FEATURES

ꢀ

Planar MOS Schottky technology

Low forward voltage drop

High current capability

High reliability

High surge current capability

Epitaxial construction

MECHANICAL DATA

ꢀ

Case: Molded plastic

Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant

Lead: Lead solderable per MIL-STD-202

method 208 guaranteed

Millimeter

Min.

Millimeter

ꢀ

Polarity: As Marked

Mounting position: Any

Weight: 1.98 g (Approximate)

REF.

Max.

16.51

10.67

14.75

4.90

1.45

2.92

0.76

4.5

Min.

0.7

Max.

1.78

1.02

2.69

3.43

4.09

9.65

1.45

14.22

9.65

12.50

3.56

0.51

2.03

0.31

3.5

0.38

2.39

2.50

3.10

8.38

0.89

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise s pecified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, de-rate current by 20%.)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

V_RRM

V_RSM

V_DC

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

Current

(Per Leg)

I_F

(Per Device)

I_FSM

250

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

Voltage Rate of Chance (Rated V_R)

dv/dt

10000

V / µs

°C /W

°C

Typical Thermal Resistance

R_θ

Operating and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-40~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Typ.

Max.

0.39

0.46

0.53

0.61

Unit

Test Condition

I_F= 3A, T_J= 25°C

0.37

0.41

0.49

0.58

0.56

I_F= 5A, T_J= 25°C

I_F= 10A, T_J= 25°C

I_F= 15A, T_J= 25°C

I_F= 15A, T_J= 125°C

T_J=25°C

Maximum Instantaneous Forward

Voltage

V_F

0.5

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage ²

Typical Junction Capacitance ¹

I_R

T_J=100°C

C_J

520

NOTES:

1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 5.0V D.C.

2. Pulse Test：Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≦ 2.0%.

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

27-Jan-2014 Rev. A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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