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SBL30U45F

更新时间： 2024-01-08 10:45:29

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Voltage 45V 30Amp Low VF planar MOS Barrier Schottky Rectifier

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SBL30U45F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.45	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.52 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	280 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	45 V	最大反向电流：	300 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SBL30U45F 数据手册

SBL30U45F

Voltage 45V 30Amp

Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifier

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen free

ITO-220

FEATURES

ꢀ

Planar MOS Schottky technology

Low forward voltage drop

High current capability

High reliability

High surge current capability

Epitaxial construction

MECHANICAL DATA

ꢀ

Case: Molded plastic

Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant

Lead: Lead solderable per MIL-STD-202

method 208 guaranteed

ꢀ

Polarity: As Marked

Mounting position: Any

Weight: 1.98 g (Approximate)

Millimeter

Min.

Millimeter

REF.

Max.

15.70

10.50

14.00

4.70

3.2

Min.

2.70

0.90

0.50

2.34

2.40

φ 3.0

Max.

4.00

1.50

0.90

2.74

3.00

φ 3.4

14.60

9.50

12.60

4.30

2.30

0.30

2.90

0.75

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise s pecified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, de-rate current by 20%.)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

V_RRM

V_RSM

V_DC

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

Current

(Per Leg)

I_F

(Per Device)

I_FSM

280

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

Voltage Rate of Chance (Rated V_R)

dv/dt

10000

V / µs

°C /W

°C

Typical Thermal Resistance

R_θ

Operating and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-40~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Typ.

Max.

0.36

0.41

0.46

0.52

Unit

Test Condition

I_F= 3A, T_J= 25°C

0.33

0.37

0.43

0.49

0.47

I_F= 5A, T_J= 25°C

I_F= 10A, T_J= 25°C

I_F= 15A, T_J= 25°C

I_F= 15A, T_J= 125°C

T_J=25°C

Maximum Instantaneous Forward

Voltage

V_F

0.3

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage ²

Typical Junction Capacitance ¹

I_R

T_J=100°C

C_J

650

NOTES:

1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 5.0V D.C.

2. Pulse Test：Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≦ 2.0%.

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

14-May-2013 Rev. A

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