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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBG2045CT-T-F
SBG2045CT-T-F PDF预览

SBG2045CT-T-F

更新时间： 2024-02-19 13:10:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
20A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SBG2045CT-T-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：225 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10

SBG2045CT-T-F 数据手册

 浏览型号SBG2045CT-T-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBG2045CT-T-F的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: SBG2030CT SBG2035CT SBG2040CT SBG2045CT  
SBG2030CT - SBG2045CT  
20A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
E
D2PAK  
Min  
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
Surge Overload Rating to 225A Peak  
Max  
10.69  
15.88  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
Dim  
A
G
H
A
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
9.65  
14.60  
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
4
B
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note 3)  
C
J
B
D
1
2
3
Mechanical Data  
·
E
Case: D2PAK  
G
H
M
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
D
K
J
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
C
L
K
Terminals: Finish - Bright Tin. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
L
PIN 1  
PIN 3  
·
·
·
·
·
Ordering Information, Page 2  
Polarity: See Diagram  
PIN 2 & 4  
M
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
Mounting Position: Any  
Weight: 1.7 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBG  
2030CT  
SBG  
2040CT  
SBG  
2045CT  
SBG  
2035CT  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
25  
40  
28  
45  
32  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 105°C  
20  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
225  
0.55  
A
Forward Voltage, per Element  
@ IF = 10A  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ Tj = 25°C  
@ Tj = 100°C  
1.0  
50  
mA  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
650  
2.0  
pF  
K/W  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes: 1. Thermal resistance: junction to case mounted on heat sink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS30091 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
SBG2030CT - SBG2045CT  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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SBG2045CT-T-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SBR30A45CTB DIODES

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBG2045CT-TP MCC

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SBG2531DEB ETC

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