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SBG880

更新时间： 2024-09-26 15:50:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2

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SBG880 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.92其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：175 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：80 V最大反向电流：1000 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SBG880 数据手册

 浏览型号SBG880的Datasheet PDF文件第2页 
SBG870 - SBG8100  
8.0A HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Current Capability, Low VF  
High Surge Capability  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
D2PAK  
Min  
E
G
H
A
Dim  
A
Max  
10.69  
15.88  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
9.65  
14.60  
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
4
B
C
J
·
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
B
D
1
2
3
E
G
H
Mechanical Data  
·
·
M
Case: D2PAK, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.7 grams (approx.)  
Marking: Type Number  
D
K
J
C
L
K
·
·
·
L
PIN 1  
PIN 3  
M
PIN 2 & 4  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBG  
870  
SBG  
880  
SBG  
890  
SBG  
8100  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
70  
49  
80  
56  
90  
63  
100  
70  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
8.0  
@ TC = 110°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
175  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage (Note 2)  
@ IF = 8.0A, TC = 25°C  
0.85  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC 25°C  
=
0.1  
100  
mA  
@ TC = 125°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Typical Thermal Resistance Junction to Case  
Voltage Rate of Change  
200  
3.0  
pF  
K/W  
V/ms  
°C  
RqJL  
dV/dt  
Tj, TSTG  
10000  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. 300ms pulse width, 2% duty cycle.  
3. Measured at VR = 4.0V and f = 1.0MHz  
DS30131 Rev. 1P-1  
1 of 2  
SBG870-SBG8100  
12

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