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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBG3030CT-T-F
SBG3030CT-T-F PDF预览

SBG3030CT-T-F

更新时间： 2024-01-18 06:00:06
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
30A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SBG3030CT-T-F 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.55
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBG3030CT-T-F 数据手册

 浏览型号SBG3030CT-T-F的Datasheet PDF文件第2页 
SPICE MODELS: SBG3030CT SBG3040CT SBG3045CT SBG3050CT SBG3060CT  
SBG3030CT - SBG3060CT  
30A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
E
D2PAK  
Min  
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
Surge Overload Rating to 250A Peak  
Max  
10.69  
15.88  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
Dim  
A
G
H
A
9.65  
14.60  
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
4
B
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant Version (Note 3)  
C
J
B
D
1
2
3
Mechanical Data  
·
E
Case: D2PAK  
G
H
M
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
D
K
J
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
C
L
K
Terminals: Finish - Bright Tin. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
L
PIN 1  
PIN 3  
·
·
·
·
·
Ordering Information, Page 2  
Polarity: See Diagram  
PIN 2 & 4  
M
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
Mounting Position: Any  
Weight: 1.7 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBG  
3030CT  
SBG  
3050CT  
SBG  
3060CT  
SBG  
3040CT  
SBG  
3045CT  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
32  
30  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 100°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
250  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage, per Element  
@ IF = 15A, TC  
=
25°C  
0.55  
0.70  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC  
@ TC = 100°C  
=
25°C  
1.0  
75  
mA  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
420  
1.5  
pF  
K/W  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes: 1. Thermal resistance: junction to case mounted on heat sink.  
2. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS30025 Rev. 5 - 2  
1 of 2  
SBG3030CT - SBG3060CT  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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SBG3030CT-T-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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