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SB830

更新时间： 2024-11-05 04:05:43
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管局域网
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2页 59K
描述
Schottky Barrier Rectifiers

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SB830 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.33
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：180 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

SB830 数据手册

 浏览型号SB830的Datasheet PDF文件第2页 
SB820 ... SB8100  
SB820 ... SB8100  
Schottky Barrier Rectifiers  
Schottky-Barrier-Gleichrichter  
Version 2005-07-12  
Nominal current  
Nennstrom  
8 A  
20...100 V  
Ø 5.4±0.1  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
Ø 5.4 x 7.5 [mm]  
1.0 g  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 1.2±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] 1)  
V
RRM [V]  
V
RSM [V]  
IF = 5 A  
< 0.52  
< 0.52  
< 0.52  
< 0.61  
< 0.61  
< 0.75  
< 0.75  
IF = 8 A  
< 0.55  
< 0.55  
< 0.55  
< 0.68  
< 0.68  
< 0.83  
< 0.83  
SB820  
SB830  
SB840  
SB850  
SB860  
SB890  
SB8100  
20  
30  
20  
30  
40  
40  
50  
50  
60  
60  
90  
90  
100  
100  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
8 A2)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
30 A 2)  
155/180 A  
132 A2s  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
-50...+150°C  
-50...+175°C  
Tj  
TS  
1
2
Tj = 25°C  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
12

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