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SB350-G

更新时间： 2024-09-14 20:02:55
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 功效二极管
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2页 45K
描述
Rectifier Diode,

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SB350-G 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

SB350-G 数据手册

 浏览型号SB350-G的Datasheet PDF文件第2页 
COMCHIP  
Schottky Barrier Rectifier  
SMD Diodes Specialist  
SB320-G Thru. SB370-G  
Forward current: 3.0A  
Reverse voltage: 20 to 70V  
RoHS Device  
DO-27  
Features  
-Fast switching.  
0.057(1.45)  
0.045(1.15)  
-Low forward voltage, high current capability.  
-Low power loss, high efficiency.  
-High current surge capability.  
1.0(25.4) min.  
-High temperature soldering guaranteed: 250 OC/10  
seconds, 0.375” (9.5mm) lead length at 5lbs (2.3kg)  
tension.  
0.362(9.20)  
0.339(8.60)  
Mechanical Data  
0.217(5.50)  
0.193(4.90)  
-Case: transfer molded plastic.  
-Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant.  
1.0(25.4) min.  
-Polarity: color band denoted cathode end.  
-Lead: plastic axial lead, solderable per MIL-STD-  
202E, method 208C.  
-Mounting position: any.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Weight: 0.041 ounce, 1.15 gram.  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at Ta=25 OC unless otherwise noted.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive loaded.  
For capacitive load, derate current by 20% .  
SB320  
SB330  
-G  
SB340  
-G  
SB350  
-G  
SB360  
-G  
SB370  
-G  
Parameter  
Unit  
Symbol  
-G  
20  
14  
20  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS Voltage  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
70  
49  
70  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
9.5mm lead lenght, (See fig.1)  
IAV  
3.0  
80  
A
Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-  
wave, superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
VF  
A
V
Maximum instantaneous forward voltage at IF=3.0A (Note 1)  
0.50  
20.0  
0.74  
10.0  
TA=25 O  
C
0.5  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
mA  
IR  
OC  
TA=100  
pF  
CJ  
RθJA  
TJ  
40  
40  
Typical junction capacitance (Note 2)  
Typical thermal resistance (Note 3)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
OC/W  
OC  
-55 ~ +125  
-55 ~ +150  
OC  
TSTG  
-55 ~ +150  
Note:  
1. Test pulse: 300μS pulse width, 1% duty cycle.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance junction to ambient .  
REV:A  
Page 1  
QW-BB024  
12

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