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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
| 针数： | 137 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | MOBILE SDRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16BIT X 4 BANKS; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE | JESD-30 代码： | R-PBGA-B137 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 137 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 16MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 9 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S72WS256ND0BFWBB | SPANSION |
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Based MCP/PoP Products |
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| S72WS256ND0BFWBB2 | SPANSION |
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Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
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| S72WS256ND0KFW4Y0 | SPANSION |
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Based MCP/PoP Products |
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| S72WS256ND0KFW4Y2 | SPANSION |
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Based MCP/PoP Products |
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| S72WS256ND0KFW4Y3 | SPANSION |
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Based MCP/PoP Products |
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| S72WS256ND0KFWD3 | SPANSION |
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Based MCP/PoP Products |
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| S72WS256ND0KFWD33 | SPANSION |
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Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA160, 15 X 15 MM, 1.25 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-160 |
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| S72WS256NDE | SPANSION |
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Based MCP/PoP Products |
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| S72WS256NDEBAW4Y0 | SPANSION |
获取价格 |
Based MCP/PoP Products |
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| S72WS256NDEBAW4Y2 | SPANSION |
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Based MCP/PoP Products |
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